авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||

« ISBN 574170215-5 9 785741 702154 МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ...»

-- [ Страница 4 ] --

Появившиеся в последнее время тепловизионные приборы с порого вой температурной чувствительностью порядка сотых, а иногда и тысячных долей градусов, резко повышают актуальность создания многоспектральных тепловизионных приборов нового поколения со УДК 621.383. специальной алгоритмией.

Филиппов С.Н.

В настоящей работе предложен и проанализирован алгоритм, поз воляющий представить регистрируемую в поддиапазонах разницу в Московский физико-технический институт наиболее удобном виде.

(государственный университет) Для этого предлагается введение понятия положительного кон траста:

Исследование механизмов переноса заряда n в фотодиодах на основе эпитаксиальных { R(,T )ф (,T )d R(,T )о (,T )d} i=1 слоёв твёрдых растворов K =K n i i, кадмий-ртуть-теллур { R(,T )ф (,T )d + R(,T )о (,T )d} i=1 i i Узкозонные полупроводниковые твёрдые растворы теллуридов где R(,T ) — спектральная поверхностная плотность потока излу- кадмия и ртути (Cdx Hg1x Te, КРТ) являются одним из лидеров чения абсолютно чёрного тела, ф (,T ) — спектральная излучатель- среди материалов, используемых для создания современной оптико ная способность фона, о (,T ) — спектральная излучательная спо- электронной аппаратуры инфракрасного (ИК) диапазона спектра.

собность объекта, интегралы вычисляются по i-му поддиапазону ра- Это обусловлено как физическими свойствами самого раствора, так боты тепловизионного прибора. и успехами в развиваемых технологиях выращивания эпитаксиаль Такой критерий позволяет исключить уменьшение контраста за ных слоёв (ЭС) КРТ. В данной работе исследуются фотодиоды на счёт суммирования разности сигналов, полученных в поддиапазонах основе ЭС КРТ, выращенных методами молекулярно-лучевой эпи с различными знаками. таксии (МЛЭ) и жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Фотодиоды рас В работе проведён анализ функции контраста: подобран вид этой считаны на спектральные диапазоны 3–5 мкм и 8–14 мкм.

функции, проведена оценка максимума функции контраста, в зави- В основе исследования лежит изучение (с использованием числен симости от её вида. ных методов) вольт-амперных характеристик (ВАХ) и зависимостей дифференциального сопротивления от напряжения смещения, изме СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ ренных в широком температурном диапазоне (70–300 К). Исходя из фундаментальных теоретических зависимостей токовых состав 1. Blair Barbour, Michael W.Jones. Enhanced Infrared ляющих от напряжения смещения, строятся математические модели Sensor/Imaging // SPIE. — V. 3061. ВАХ и дифференциального сопротивления, учитывающие вклады диффузионного (ID ), генерационно-рекомбинационного (Igr ), тун 2. Госсорг Ж. Инфракрасная термография. — М.: Мир, 1988.





нельного (Itt — ток туннелирования через уровни ловушек, Ibb — 3. Ллойд Дж. Системы тепловидения. — М.: Мир, 1978.

ФФКЭ 171 172 ФФКЭ Секция физической электроники 50-я научная конференция МФТИ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ ток межзонного туннелирования), омического токов, а также тока шунтирующей утечки (IS ) и фонового тока (Iph ):

1. Болтарь К.О., Яковлева Н.И. Моделирование вольт-амперных Itotal = ID + Igr + Itt + Ibb + IS + Iph, характеристик фотодиодов из КРТ // Прикладная физика. — 2004. — N. 3. — С. 82–88.

1 1 1 1 Rdyn = R + + + + +, 2. Rosbeck J.P., Starr R.E., Price S.L., Riley K.J. Background and RD Rgr Rtt Rbb RS temperature dependent current-voltage characteristics of HgCdTe где Itotal — ток, протекающий через фотодиод, Rdyn — дифферен photodiodes // J. Appl. Phys. — 1982. — V. 53, N. 9. — циальное сопротивление фотодиода, R — сопротивление подложки, P. 6430–6440.

RD, Rgr, Rtt, Rbb, RS — дифференциальные сопротивления, от вечающие соответствующим токам. 3. Nemirovsky Y., Rosenfeld D., Adar R., Kornfeld A. Tunneling and Непосредственное разбиение тока на составляющие позволило dark currents in HgCdTe photodiodes // J. Vac. Sci. — 1989. — определить вклад каждой из них в суммарный ток, определить об- V. 7, N. 2. — P. 528–535.

ласть температур и напряжений смещения, в которых они домини 4. Рогальский А. Инфракрасные детекторы / Пер. с англ. Под руют, а также исследовать каждую компоненту по отдельности. Ана ред. А.В. Войцеховского. — Новосибирск: Наука, 2003.

логичное исследование Rdyn позволило построить на плоскости (на пряжение смещения, температура) диаграммы распределения огра 5. Овсюк В.Н., Курышев Г.Л., Сидоров Ю.Г., др. Матричные фо ничивающих дифференциальное сопротивление механизмов токооб топриёмные устройства инфракрасного диапазона. — Новоси разования.

бирск: Наука, 2001.

Анализ фонового тока позволяет провести оценку квантовой эф фективности фотодиодов (типичное значение 0,9). В ходе ис следования было также обнаружено, что избыточное фоновое излу чение ведёт к уменьшению дифференциального сопротивления фото диода. Анализ генерационно-рекомбинационного тока даёт возмож- УДК 537.626:519. ность оценить время жизни носителей 0, а также исследовать тем Шуленок А.П.

пературную зависимость этой величины.

Активационный характер температурной зависимости туннельно- Московский физико-технический институт го тока (при T 100 К) позволил определить уровень залегания ло- (государственный университет) вушечных центров в запрещённой зоне Et 0,068 эВ (отсчитанный НПО «Орион»

от верха валентной зоны).

В области температур, когда все примеси ионизованы, но полу- Гибридный метод расчёта магнитных проводник ещё не является собственным, диффузионный ток экспо систем с насыщаемыми материалами ненциально зависит от обратной температуры. Использование этой зависимости позволяет определить величину встроенного потенциа ла и оценить энергию ионизации уровней примесей Ea 0,015 эВ. Компьютерное моделирование нелинейных систем на сегодняш ний день является одной из актуальных задач магнитостатики, реше Полученные значения уровней ловушек и уровней примесей ока ние которой может основываться на двух численных методах: методе зались равными для МЛЭ и ЖФЭ фотодиодов одинакового состава (x 0,22). Сравнение МЛЭ и ЖФЭ фотодиодов показывает, что конечных элементов и методе интегральных уравнений. Каждый из них имеет свои преимущества и недостатки.





последние удовлетворяют более высоким требованиям, предъявляе мым к современным приёмникам излучения ИК диапазона.

ФФКЭ 173 174 ФФКЭ Секция физической электроники 50-я научная конференция МФТИ ной и независящей от напряжённости поля магнитной проницаемо Метод конечных элементов [1] позволяет учитывать эффект насы стью (включая область вакуума) применяется метод интегральных щения магнитопровода, произвольное распределение плотности элек уравнений. Сшивка решения на границах подобластей гарантируется трического тока в обмотках и наличие постоянных магнитов. Исполь единой итерационной процедурой минимизации функционала энер зуя метод конечных элементов, можно моделировать магнитные лин гии, в котором вклад первой и третьей подобластей представлен в зы и отклоняющие системы, что обусловлено наличием эффектив виде суммы квадратичного и линейного функционалов от распреде ных алгоритмов построения сеток с адаптивным шагом, в том чис ления магнитного потенциала только на их границах.

Такой подход ле трёхмерных. Недостатком метода является невозможность много позволяет уменьшить размерность решаемой системы нелинейных кратного дифференцирования магнитного потенциала, аппроксими уравнений. Кроме того, повышение точности и гладкости решения рованного на нерегулярной сетке, что требуют аберрационные мето в области вакуума позволяет использовать аберрационные разложе ды. Определённое повышения точности в таких задачах достигается ния траекторий заряженных частиц в окрестностях главных лучей, увеличением мелкости сетки до сотен тысяч узлов [2], что сопряжено в том числе непараксиальных.

со значительными вычислительными затратами.

Альтернативный метод интегральных уравнений обладает суще СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ ственно большей точностью и даёт более гладкое распределение по ля, что обусловило его использование при моделировании электро- 1. Munro E. ImageProcessing and Computer-Aided Design in статических оптических систем. Однако непосредственное примене- Electron Optics. — London: Academic Press, 1973.

ние этого метода для расчёта магнитного поля оказывается неэффек 2. Lencov B. On magnetic lens computations with FEM and BEM // a тивным, поскольку учёт магнитного насыщения и объёмного распре Nuc. Inst. Meth. Phys. Res., Sec. A. — 2004. — 519, 1-2. — деления токов требует вычисления объёмных, а не поверхностных P. 133–140.

интегралов.

Рис. 1. Декомпозиция расчётной области В настоящей работе предложен эффективный метод решения нелинейной задачи магнитостатики, основанный на декомпозиции расчётной области на три части. В двух подобластях (рис. 1) — области катушки соленоида L и области магнитопровода с нели нейными магнитными характеристиками S — используется метод конечных элементов. В третьей подобласти B с кусочно-постоян ФФКЭ 175 176 ФФКЭ 50-я научная конференция МФТИ Список представленных организаций Рязанский институт открытого образования Санкт-Петербургский государственный университет Italian Institute for the Physics of Matter Тульский государственный педагогический университет ЗАО «Лазекс» им. Л.Н. Толстого Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН Тульский государственный университет Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН Уральский государственный технический университет — УПИ Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН материалов РАН Физико-технологический институт РАН Институт радиотехники и электроники РАН Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН Компания «SIAMS»

Компания «СофтПром»

Московская городская телефонная сеть Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) Московский государственный институт электроники и математики Московский государственный институт электронной техники (технический университет) Московский государственный технический университет «МАМИ»

Московский инженерно-физический институт (государственный университет) Московский физико-технический институт (государственный университет) Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума Научно-техническое объединение «ИРЭ-Полюс»

Новосибирский государственный технический университет НПО «Орион»

ООО «МАКНИТ»

ООО «ЮникАйСиз»

Пермская научно-производственная приборостроительная компания Российский онкологический научный центр им. Н.Н. Блохина РАМН Рязанский государственный радиотехнический университет ФФКЭ 177 178 ФФКЭ 50-я научная конференция МФТИ Именной указатель авторов докладов Матвеенко О.С. 107 Фомичев А.А. Руденко К.В. Морозова В.Г. 165 Фомичёв А.А. Рябко М.В. Мяконьких А.В. 28 Фролов В.Д. Рябушкин О.А. 71, А Георгиева М.А. 48, Кадушников Р.М. 81, 84, Мясников Д.В. 52 20 Х Абанин А.С. С Н Головнев Ю.Ф. 137, Каленков Г.С. Абденов А.Ж. 126 Хрусталёв В.А. 145 Кель О.Л. Селькин А.В. Абдуразаков Ш.Р. Назаренко М.М. Головнёв Ю.Ф. 124 Киселев О.С. Ч 71 Сергеев Ф.О. Наухацкий Г.В. Гололобов Г.П. 118 Клинушкин Ю.А.

Абитов А.Р. 151 Сидоров С.В. Негров Д.В. Голяев Ю.Д. 45, 57 98 Чадаев Н.Н. 7, Азарова В.В. 45 Сидорова И.Г. Неумоин К.А. Голяева А.Ю. 57 Коваленко В.Л. 95 Чаморовский А.Ю.

Солошенко Е.Б. Алексеев С.Г. 142 Никитов С.А. 91 Горелик В.С. 77 Колодный Г.Я. Спиридонов М.В. Арустамян М.Г. 47 Нургулеев Д.А. 137 Чаморовский Ю.К.

Горелик Л.И. 167 Колчев А.Б. 64, Стариков П.А. 7, Асадчиков В.Е. 45 Григорьев Г.К. 36 Коняшкин А.В. О Стрельникова Н.Е.

Асеев П.П. 91 Чуприк А.А. Грознов С.И. 5 Коростылев Е.В. Астапенко В.А. 47 Орел А.А. Кошелец В.П. Ш Д Т Кудряшов А.В. Б П Курьянович Е.Е. 22 Шабалина А.С. Давыдов Б.Л. 74, 76 Тихменев Н.В. 45, Шайдуллин Р.И. Демидов М.С. 58 Павлов В.Н. Баган В.А. 74 Л Шаронов В.А. 26, Демьянков Д.Т. 84 Парфенов А.С. Баженова А.Г. 69 Трегулов В.В. Дюбуа А.Б. 17 Паршуков Ю.В. Базакуца А.П. 76 Лагун Д.А. 106 Тренин Д.Ю. Шевчук С.Л. Певгов В.Г. Батурин А.С. 20, 36 Лазарев В.А. 96 Тулупов М.П. Е Шешин Е.П. 5, 8, Петров А.К. Ламанов М.М. 4, Бормашов В.С. 20 Тюрин А.В. 10, Петров М.Ю. Егоров И.В. 154 Ларионов П.В. 64, Брославец Ю.Ю.

У Шитов С.В. Пименов С.М. 48, 52, 58 Ермаков А.Б. Штуркин Н.П. Пучков Г.А. 111, Лебединский Ю.Ю.

Ермаков В.С. 64 Уваров А.В. Шуленок А.П. В 41 Уваров А.К. З Лейченко А.С. 5, 7, Щ Уточкин И.Г. Р Васильева А.П. 153 Заблоцкий А.В. Веселов А.Е. Ф Лунёв Ф.В. 23 Щука А.А. Разинкин В.П. Зайцев Д.Л. Волков В.А. 31 Лупарев Н.В. 7, 10 Родионов Д.В. Занавескин М.Л. 45 Федотов В.Г. F Вощинский Е.А. 77 Лысов И.Д. 26, 44 Рощенко А.В. Зенкевич А.В. 41 Филиппов С.Н. 38, Вощинский Ю.А. 77 Любарский Э.В. 98 Руденко А.Н. 33 Fanciulli M. И Вьюрков В.В. М Г Ильин А.С. Маишев Ю.П. К Гайнов В.В. 84 Матвеев Т.Н. ФФКЭ 179 180 ФФКЭ 50-я научная конференция МФТИ Оглавление Матвеев Т.Н., Шевчук С.Л., Маишев Ю.П. Формирование и исследование пучков быстрых атомов аргона............ Секция эмиссионной электроники............... 4 Мяконьких А.В., Руденко К.В. Функция распределения электронов по энергиям и электронная температу Кудряшов А.В., Ламанов М.М., Пименов С.М., Фро ра ICP-плазмы в технологических реакторах микро лов В.Д. Исследование эмиссионных свойств наново электроники................................................ локон SiC и ZnO............................................ Павлов В.Н., Волков В.А. Поперечные плазмон-полярито Лейченко А.С., Грознов С.И., Шешин Е.П. Планарные ав ны в полупроводниковых структурах с двумерным тоэмиссионные дисплеи триодной конструкции............. электронным газом......................................... Лупарев Н.В., Стариков П.А., Лейченко А.С., Чадаев Н.Н.

Руденко А.Н. Обменные взаимодействия в наноцепочках Реализация подсветки ЖК-экрана при помощи авто марганца на подложке CuN (100).......................... эмиссионного источника света.............................. Спиридонов М.В., Батурин А.С., Певгов В.Г., Григо Негров Д.В., Ламанов М.М., Шешин Е.П. Измерение зави рьев Г.К. Исследование молекулярных комплексов симости тока катода из пучков углеродных волокон сыворотки крови методами лазерной корреляцион от длины эмитирующей части пучка....................... ной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии........ Стариков П.А., Лупарев Н.В., Лейченко А.С., Чада Филиппов С.Н., Вьюрков В.В. Реализация логической опе ев Н.Н., Шешин Е.П. Использование автоэлектрон ных катодолюминесцентных источников света в ка- рации CNOT в квантовом компьютере на квантовых точках с электронными орбитальными состояниями честве пикселей в цифровом табло......................... без перемещения заряда................................... Шешин Е.П. Развитие источников света на основе нано структурированных углеродных материалов.............. 12 Чуприк А.А., Зенкевич А.В., Лебединский Ю.Ю., Fanciulli M. АСМ исследование CV -характеристик Щука А.А. Процессы самоорганизации в нанотехнологии....... Ni/HfO2 /SiO2 /Si-структур................................. Секция нанотехнологии........................ 17 Шаронов В.А., Лысов И.Д. Определение ширины линии элемента рельефа с формой профиля, близкой к тра Дюбуа А.Б. Электрон–электронные взаимодействия пеции, с помощью атомно-силового микроскопа в на в умеренно легированном 2D-гетеропереходе нометровом диапазоне..................................... Al0,3 Ga0,7 /GaAs............................................ Заблоцкий А.В., Батурин А.С., Бормашов В.С., Коросты Секция квантовой электроники................ лев Е.В., Кадушников Р.М., Штуркин Н.П. Кон цепция «виртуального микроскопа» и её применение Азарова В.В., Голяев Ю.Д., Колодный Г.Я., Тихме в нанометрологии.......................................... 20 нев Н.В., Занавескин М.Л., Асадчиков В.Е. Прецизи онные оптические поверхности и лазерные зеркала.

Курьянович Е.Е. Моделирование эмиссионной томографии Их метрология и применение.............................. с конфокальной системой коллиматоров................... Арустамян М.Г., Астапенко В.А. Особенности взаимодей Лунёв Ф.В. Исследование антиферромагнитного резонанса ствия сверхкоротких лазерных импульсов с кванто в KMnF3................................................... выми системами............................................ Лысов И.Д., Шаронов В.А. Корреляционный анализ как ме тод исследования нанорельефа............................ ФФКЭ 181 182 ФФКЭ Оглавление 50-я научная конференция МФТИ Георгиева М.А., Брославец Ю.Ю., Фомичёв А.А. Кольце- Базакуца А.П., Давыдов Б.Л. Исследование перестраивае вой перестраиваемый по длине волны лазер на YAG : мого аттенюатора неполяризованного лазерного из Cr4+. Проблемы двунаправленной генерации в твер- лучения повышенной мощности............................ дотельном лазере.......................................... 48 Вощинский Е.А., Вощинский Ю.А., Горелик В.С. Исследо вание спектров пропускания искусственных опалов....... Георгиева М.А., Брославец Ю.Ю. Измерение поглоще ния и распределения температуры при распростра- Коняшкин А.В., Мясников Д.В., Рябушкин О.А. Радио нении лазерного излучения в искусственных ал- частотная спектроскопия нелинейно-оптических кри мазах и наноструктурированных средах методом сталлов..................................................... z-сканирования............................................. Шайдуллин Р.И., Демьянков Д.Т., Гайнов В.В., Рябуш Голяев Ю.Д., Голяева А.Ю., Назаренко М.М., Тихме- кин О.А. Разогрев активного световода в режимах нев Н.В. Исследование нелинейности масштабного фотолюминесценции и лазерной генерации волокон коэффициента зеемановских трёхосных лазерных ги- ного иттербиевого лазера.................................. роскопов с магнитооптической знакопеременной ча Чаморовский А.Ю., Наухацкий Г.В., Рябушкин О.А.

стотной подставкой........................................ Волоконно-оптический интерферометр Фабри–Перо Демидов М.С., Брославец Ю.Ю. Расчёт параметров кольце- для исследования акустических мод в нелинейно вого лазера на высококонцентрированной активной оптических кристаллах.................................... среде LSB : Nd3+ и полупроводниковой накачкой......... Секция прикладных информационных Каленков Г.С. Программа для обработки цифровых голо технологий................................. грамм...................................................... Ларионов П.В., Фомичев А.А., Колчев А.Б., Ермаков В.С., Асеев П.П., Рябко М.В., Чаморовский Ю.К., Ники Кель О.Л., Парфенов А.С. Испытания новой интегри- тов С.А. Теоретический расчёт поляризационных ха рованной навигационной системы на волоконно-опти- рактеристик микроструктурных оптических волокон...... ческих гироскопах......................................... 64 Коваленко В.Л. Гетерогенные сенсорные сети.................... Ларионов П.В., Колчев А.Б. Исследование магнитного ги- Лазарев В.А. Сверхширокополосный генератор хаоса ра стерезиса дрейфа зеемановского лазерного гироскопа...... 67 диодиапазона на биполярном транзисторе с одним Федотов В.Г., Селькин А.В., Баженова А.Г. Формирова- питанием................................................... ние спектров брэгговского отражения света от фотон- Любарский Э.В., Клинушкин Ю.А. Применение BPM нокристаллических структур.............................. 69 систем в автоматизации бюджетного процесса............. Рощенко А.В. Контроль исполнения лимитов по кредит Секция фотоники............................... 71 ным операциям и операциям с ценными бумагами....... Абдуразаков Ш.Р., Рябушкин О.А. Исследование оптиче Секция микроэлектроники.................... ских и радиочастотных потерь в микроструктурном световоде с двухпроводной медной линией................ Веселов А.Е. Сокращение времени моделирования СБИС Баган В.А., Давыдов Б.Л. Исследования пространственно- за счёт редуцирования паразитных RC-элементов. ....... го деполяризатора, использующего оптическую ак- Лагун Д.А. Подсистема анализа шумов для системы тивность в кристаллах..................................... 74 AVOSPICE................................................ ФФКЭ 183 184 ФФКЭ Оглавление 50-я научная конференция МФТИ Матвеенко О.С. Неэпитаксиальные БиКМОП структуры Нургулеев Д.А., Головнев Ю.Ф. Резонансное туннелирова с субмикронными размерами............................. 107 ние в гетероструктурах на основе ферромагнитных полупроводников.......................................... Паршуков Ю.В. Современные методы изготовления микро Петров М.Ю. Расчёт энергетической структуры уровней канальных структур в кремнии........................... в отожженных квантовых точках InAs/GaAs............. Пучков Г.А. Адаптивное управление скоростью работы Сергеев Ф.О., Алексеев С.Г. Учёт неровности поверхности внешней памяти........................................... кристалла и уточнение вязкоупругих констант ланга Пучков Г.А., Тулупов М.П. Непрерываемые и защитные тата....................................................... временные окна при доступе к памяти в многопото Сидорова И.Г., Головнев Ю.Ф. Влияние ферромагнитного ковой системе............................................. порядка на энергетическую диаграмму гетероперехо Родионов Д.В. Численное приборно-технологическое мо да EuO–SrO............................................... делирование переходных процессов в интегральных Уваров А.В., Шитов С.В. Многолучевая иммерсионная элементах цифровых ИС.................................. линзовая антенна для высокочувствительного мат Солошенко Е.Б. Контроллер ёмкостной клавиатуры............ ричного радиометра миллиметрового и субмиллимет Трегулов В.В., Гололобов Г.П., Уточкин И.Г. Исследова- рового диапазонов длин волн............................. ние слоёв пористого кремния методом атомно-сило Секция молекулярной электроники........... вой микроскопии.......................................... Тюрин А.В. Использование комбинационных методов рас- Абитов А.Р. Электрохимическое утонение многослойных чёта систем нелинейных дифференциальных уравне- систем..................................................... ний для моделирования интегральных схем.............. 120 Васильева А.П. Исследование влияния феноменологиче Уваров А.К. 16-разрядный сигма-дельта АЦП для аудио ских параметров на спектральную чувствительность приложений по технологии 0,18 мкм...................... 122 фотопреобразователей.................................... Егоров И.В. Исследование фазово-частотных характери Секция твердотельной электроники стик модифицированных электродных пакетов........... и радиофизики............................ 124 Зайцев Д.Л. Экспериментальное изучение низкочастотного шума в молекулярно-электронных системах в услови Абанин А.

С., Головнёв Ю.Ф. Расчёт энергетической зонной ях ограниченного интегрального потока электролита диаграммы гетероперехода SmS–EuS..................... через преобразующую ячейку............................. Абденов А.Ж., Хрусталёв В.А., Разинкин В.П. Исследова Неумоин К.А. Исследование амплитудно-частотной харак ние нестационарных режимов в СВЧ-цепях.............. теристики молекулярно-электронного преобразовате Ильин А.С. Получение сверхпроводниковых наноструктур ля......................................................... для ДКП-болометров методом электронной литогра Орел А.А. Численное моделирование протекания жидкости фии........................................................ в МЭЯ и расчёт амплитудно-частотных характери Киселев О.С., Ермаков А.Б., Кошелец В.П. Алгоритмы стик молекулярно-электронных датчиков................ управления сверхпроводниковым интегральным при Сидоров С.В. Исследование температурных характеристик ёмником................................................... молекулярно-электронного преобразователя на высо ких частотах.............................................. ФФКЭ 185 186 ФФКЭ Оглавление Стрельникова Н.Е. Исследование возможности создания фотоэлектрических модулей с концентраторами сол нечного излучения........................................ Шабалина А.С. Методы улучшения шумовых характери ТРУДЫ стик на высоких частотах у молекулярно-электрон 50-й НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ МФТИ ных геофонов............................................. Секция физической электроники.............. Морозова В.Г. Постановка задачи трёхточечной коррек Современные проблемы ции неоднородности многоэлементных фотоприем фундаментальных и прикладных наук ных устройств по сигналам сцены........................ Петров А.К., Горелик Л.И. Инфракрасная система кру гового обзора на основе матричного фотоприёмного устройства с цифровой компенсацией поворота изоб ражения................................................... Часть V Тренин Д.Ю. Обработка тепловизионных изображений Физическая и квантовая электроника с предельно малым тепловым контрастом................ Филиппов С.Н. Исследование механизмов переноса заряда в фотодиодах на основе эпитаксиальных слоёв твёр дых растворов кадмий-ртуть-теллур...................... Шуленок А.П. Гибридный метод расчёта магнитных систем с насыщаемыми материалами............................. Составитель: Кудряшов А.В.

Редактор: Котова О.П.

Корректор: Волкова И.А.

Список представленных организаций................... Компьютерная вёрстка: Чудновский А.В.

Именной указатель авторов докладов.................. 179 Подписано в печать 30.10.2007. Формат 60 84 1 /16.

Бумага офсетная. Печать офсетная.

Усл. печ. л. 11,75. Уч.-изд. л. 11,46. Тираж 130 экз. Заказ № Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский физико-технический институт (государственный университет) Издательский центр оперативной полиграфии 141700, Московская обл., г. Долгопрудный, Институтский пер., ФФКЭ 187 188 ФФКЭ

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.