авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ

Pages:     | 1 |   ...   | 8 | 9 ||

«Национальная Академия наук Украины (НАНУ) Институт проблем материаловедения им. И.Н.Францевича НАНУ Украинское материаловедческое общество Национальный технический ...»

-- [ Страница 10 ] --

И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ ЦИРКОНИЯ: ZrTiO4, Zr4Fe2O, Zr4Ni2O И Zr4Co2O Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Шкумат П.Н., Никифоров И.Я., Бондаренко Т.Н.(1), Копылова Е.И.(1), Хижун О.Ю.(1) Донской государственный технический университет, пл. Гагарина 1, Ростов-на-Дону, 344010, Россия, e-mail: alavrentyev@dstu.edu.ru (1) Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Ураины, ул. Кржижановского, 3, Киев, 03142, Украина, e-mail: khyzhun@ipms.kiev.ua В настоящей работе получены экспериментальные рентгеновские ZrL2,15-, TiL-, FeL- и OК-полосы эмиссии, отображающие энергетическое распределение преимущественно, соответственно, Zr4d-, Ti3d-, Fe3d- и O2p-состояний, а также рентгеновские фотоэлектронные (РФ) спектры валентных и остовных электронов порошков тугоплавких оксидов ZrTiO4, Zr4Fe2O, Zr4Ni2O и Zr4Co2O.

Модифицированным методом ППВ (программа WIEN2k [1]) или кластерным методом по программе FEFF8 рассчитаны полные и парциальные плотности электронных состояний всех компонентов указанных оксидов.

Данные FEFF8-расчета свидетельствуют о том, что в оксиде ZrTiO4 наибольший вклад в валентную зону осуществляют О2р-состояния – их вклад наибольший у потолка валентной зоны. В титанате ZrTiO4 у дна валентной зоны преобладают вклады Ti3d*-состояний, с немного меньшей долей вкладов Zr4d*- и O2p* состояний.

В противоположность оксиду ZrTiO4, данные ППВ-расчетов, а также совмещение в единой энергетической шкале рентгеновских Рис. 1. Полные и парциальные плотности эмиссионных полос оксидов Zr4Fe2O, Zr4Ni2O и состояний соединения по Zr4Fe2O Zr4Co2O, свидетельствуют о том, что O2p- результатам настоящего ППВ-расчета состояния в этих соединениях локализованы преимущественно у дна валентной зоны, а основной вклад у потолка валентной зоны Литература осуществляют Zr4d- и Fe(Co,Ni)3d-состояния.

Основной вклад в дно зоны проводимости [1]. P. Blaha, K. Schwarz, G.K.H. Madsen, D.

оксидов Zr4Fe2O, Zr4Ni2O и Zr4Co2O, по Kvasnicka, J. Luitz, WIEN2k, An Augmented результатам настоящих ППВ-расчетов, вносят Plane Wave + Local Orbitals Program for незаполненные Zr4d- и Fe(Co,Ni)3d-состояния. Calculating Crystal Properties, Karlheinz Schwarz, Достигнуто хорошее соответствие Technical Universitt Wien, Austria, 2001 (ISBN теоретических и экспериментальных данных 3-9501031-1-2).

для всех исследуемых соединений.

СЕКЦИЯ 8. ТЕСТИРОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ УФ И ОПТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ПЛАЗМЫ В УСЛОВИЯХ СИНТЕЗА ФУЛЛЕРЕНОВ Касумов М.М., Сидорук С.Н.(1), Соломенко Е.П.(1) Институт общей и неорганической химии им. В.И.Вернадского НАН Украины, просп. Палладина, 32/34, 03680, Киев, mmkasum@meta.ua (1) Киевский Национальный Университет им. Т.Г.Шевченко, Киев, Украина Температура плазмы в инертной газовой C-C, O-Si, C-F, H-H, N-H (1) среде при атмосферном давлении определялась Ограничение длительности пребывания сравнением эмиссионного спектра молекул С2 со продукта синтеза в пространстве с УФ излучением спектром, симулированным по коду SPECAIR 2.2 достигалось за счет формы электродов, конвекции и введением в разрядную камеру потока рабочего [1].

Полученные величины заселения газа возбуженных колебательных и вращательных Далее в спектре после линии СI следуют уровней Ткол =5500 ± 500 К и Твр=4500 ± 500 К широкие полосы молекул СN, спектр которых имеют количественное сходство с известными простирается от УФ спектра при 348 нм и результатами измерения температур при тянется до оптического спектра до 420 нм. В пониженном давлении [2]. Методическая часть условиях газового разряда излучение молекул CN работы дана в другом докладе конференции. В создается при электронно-колебательно данном докладе представлен спектр излучения вращательных переходах. Возможности полос CN плазмы разряда. молекул меньше, чем линии СI.

Для уменьшения влияния реабсорбции измерения температуры плазмы проводились на полосе молекулы С2 с минимальной интенсивностью, которая расположена в пределах 529 565 нм.

О дополнительной возможности УФ При излучателя дугового разряда.

определенной конструкции реактора излучение линии СI может быть использовано для разрыва связей в соединениях (1), которые имеются также в составе биомолекул, вирусов и болезнетворных микробов. Таким Рис. Спектр излучения плазмы при величине тока излучателем может быть, например, дуговой разряда I = 90 A, давлении He p=0,1 МПа;

разряд с электродами из графита, если разряд основные компоненты спектра: линии атома СI зажигать в защитной газовой оболочке из находятся при = 247 нм, система полос СN – гелия. Для данной цели поток УФ излучения три широких полосы в пределах 350 420 нм, будет использоваться как альтернатива широко далее три полосы молекул С2 системы Свана.

проводимым исследованиям материалов на Как видно на рис, спектр излучения основе наноразмерных оксидов ZnO[3], TiO2[4], дугового разряда состоит из участка УФ процесс получения которых длится несколько излучения с длиной волны 247 400 нм и часов.

излучения в оптическом диапазоне при 1. Spectrum Analyzer 1.6.

нм. УФ излучение создается атомами, ионами 2. Афанасьев Д., Блинов И., Богданов А., Дюжев Г., углерода и молекулами СN. Излучение возникает Каратаев В., Кругликов А. - ЖТФ.-1994.-Т.64.-В.10. под воздействием ударов электронов плазмы С.76-90.

разряда и образуется при электронных переходах 3. Л. Ван Флек.Теоретическое и прикладное атома. Излучение атома СI сосредоточено на материаловедение. М. Атомиздат.1975.

линии с длиной волны = 247 нм (h = 5, 02 эВ). 4.В.Н.Красильников, А.П.Штин, О.И.Гырдасова, Энергия кванта излучения СI превышает энергию Е.В. Поляков, Г.П.Швейкин../Жур. неорган. хим. 2008.-Т.53, №7.- С.1146-1151.

межатомных связей [3]:

O-O, O-N, C-N, C-Cl, С-O, СЕКЦИЯ 8. ТЕСТИРОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ КОНТРОЛЬ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ МНОГОФАЗНЫХ КОМПОЗИТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ СВС КОМПАКТИРОВАНИЕМ Мильман Ю.В., Окросцваридзе О.Ш.(1), Чугунова С.И., Гончарук В.А., Голубенко А.А., Гончарова И.В., Юркова А.И., Власов А.А., Бякова А.В.

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, Киев, 03142, Украина, irina@ipms.kiev.ua (1) Институт Металлургии и Материаловедения им. Ф. Тавадзе при Министерстве и Образования Наук Грузии проспект Казбеги, 15, Тбилиси, 0160, Грузия, otari_ok@yahoo.com Выполненная работа является совместным прочностных характеристик (что наиболее важно исследованием ученых Украины и Грузии. для покрытий), определение горячей твердости.

Группой ученных из ИММ Грузии были Для всестороннего изучения особенностей разработаны много компонентные композиты на формирования и контроля структуры, базе тугоплавких соединений B4C, TiB2, Al2O3, структурного состояния и фазового состава новых TiC, TiB и др. и изготовлена опытная партия синтезированных керамических композиций консолидированных изделий и покрытий методом наиболее эффективно использовать методы самораспространяющегося высокотемпературного рентгеноструктурного анализа, СЭМ (режимы SEI синтеза (СВС). и BEI) с микрорентгеноспектральным анализом.

В результате исследования структуры и Режим BEI позволяет выявлять структуру свойств учеными ИПМ НАНУ разработана многофазного материала за счет контраста система контроля консолидированных изделий изображения, который формируется из-за разницы керамических материалов, полученных методом атомного веса химических элементов, СВС, которая включает: содержащихся в исследуемом материале. Также Контроль шихты порошков. При этом информативным оказывается использование 1.

весьма эффективной и информативной оказалась количественного фазового анализа на основе методика лазерной гранулометрии, которая математической обработки изображений позволяет измерять размеры частиц в диапазоне от оптической и электронной сканирующей 0,05 до 900 мкм, а также сканирующая микроскопии.

электронная микроскопия (СЭМ) для анализа Применение комплекса указанных методов морфологии частиц и рентгеноструктурный изучения механических свойств и структурного анализ для определения фазового состава состояния позволило оптимизировать структуру и порошков. свойства для получения практически беспористого Определение механических свойств на высокомодульного композита с 2. TiB-Ti изгиб и сжатие с учетом хрупкого характера оптимальным сочетанием свойств прочности и разрушения керамических наноструктурных пластичности.

композиций при определении их механических Механические свойства свойств. Определение модуля Юнга при композиционного материала TiB-Ti испытании на изгиб с повышенной точностью Предел прочности при сжатии, ГПа 2, измерения прогиба и нагрузки, определение Предел прочности при изгибе, ГПа 1, трещиностойкости К1С при испытании на изгиб Вязкость разрушения 17, образцов с введенной трещиной, определение (трещиностойкость) К1С, МПам1/ твердости по Роквеллу и Виккерсу. Модуль Юнга, ГПа Использование метода локального 3. Твердость HRA нагружения индентором для изучения механизмов Микротвердость НV, ГПа 11, деформации и разрушения керамических Характеристика пластичности Н 0, материалов [1], определение характеристики пластичности Н, построение кривых деформации Ю.В.Мильман. Новые методики [1] с использованием набора алмазных микромеханических испытаний материалов методом пирамидальных инденторов с различными углами локального нагружения материалов жестким при вершине с определением основных индентором. В кн.: «Сучасне матеріалознавство XXI сторіччя», К. Наук. думка, 1998. – С. 637–656.

СЕКЦИЯ 8. ТЕСТИРОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ТВЁРДОСТИ ПОКРЫТИЙ, ПОЛУЧЕННЫХ СВС – КОМПАКТИРОВАНИЕМ Голубенко А.А., Окросцваридзе О.Ш.(1), Чугунова С.И.

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, Киев, 03142, Украина, aleksey@ipms.kiev.ua (1) Институт Металлургии и Материаловедения им. Ф. Тавадзе при Министерстве и Образования Наук Грузии проспект Казбеги, 15, Тбилиси, 0160, Грузия, otari_ok@yahoo.com Измерение твердости является одним из кристаллов – линейная зависимость при низких наиболее простых и удобных способов оценки температурах [1].

механических свойств материалов. Особый B4C в покрытии на подложке TiB-Ti интерес метод индентирования представляет для керамических покрытий, когда стандартные методы механических испытаний не позволяют HV, GPa оценить основные механические характеристики.

Авторами исследованы многокомпонентные 20 TiB-Ti+7%B4C // TiAl покрытия, полученные методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС) в ИММ Грузии. Покрытие TiB-Ti+7%B4C // TiB-Ti оптимизированного состава TiB-Ti+7%B4C было t, C 0 200 400 600 Рис. 1. Температурная зависимость твердости нанесено на различные подложки: TiAl и TiB-Ti.

керамического покрытия TiB-Ti+7%B4C, нанесенного на При получении керамических покрытий таким подложки TiAl и TiB-Ti, а также включений B4C в методом происходит химическое взаимодействие покрытии на подложке TiB-Ti материала покрытия и подложки. В результате По мере повышения температуры в интервале 600– такого взаимодействия получены два различных 800 оС твердость начинает резко снижаться, по структуре покрытия. Измерения твердости в особенно в случае использования подложки TiAl.

поперечном сечении как покрытия и подложки, Для покрытия на подложке TiB-Ti, твердость при так и переходной зоны покрытие/подложка 800 оС остается достаточно высокой HV 5,5 ГПа.

показали, что твердость покрытий также различна.

Наличие крупных включений B4C (до 500 мкм) в Следует отметить неоднородность структуры композите не позволяет определить покрытий. В покрытии на подложке TiAl макроскопическую твердость (агрегатную) отдельные частицы B4C с твердостью 46,7 ГПа материала покрытия, чтобы оценить предел хаотически расположены в матрице TiB-Ti, текучести. При этом можно проанализировать твердость которой составляет 18,9 ГПа. По мере отдельно изменение твердости от температуры удаления от поверхности покрытия в направлении матрицы TiB-Ti и включений B4C в покрытии.

переходной зоны значение твердости резко Отметим, что матрица в исходном состоянии имеет снижается и составляет 5 ГПа, что соответствует гораздо меньшее значение твердости по сравнению твердости интерметаллидной подложки TiAl.

с твердостью включений. С повышением В случае покрытия на подложке TiB-Ti, температуры до 800 оС твердость матрицы твердость отдельных частиц B4C в покрытии снижается до 5 ГПа, а включений B4C до (~ составляет 40,4 ГПа, что несколько ниже, чем в ГПа).

случае подложки TiAl. Матрица при этом тоже Полученные кривые зависимости HV(t) менее твердая (HV 14 ГПа). По мере удаления от покрытий характеризуют их кратковременную поверхности покрытия в направлении подложки твердость при повышенной температуре. При этом твердость постепенно снижается до 11,6 ГПа.

при температурах выше 600 оС покрытие TiB Для выяснения поведения покрытий при Ti+7%B4C на подложке TiB-Ti прочнее этого же повышенных температурах было выполнено покрытия на подложке TiAl.

исследование температурной зависимости В.И.Трефилов, Ю.В.Мильман, И.В.Гриднева.

[1] твердости в интервале температур 20–800 оС. Как Механические свойства ковалентных кристаллов / видно из рис. 1 характер температурной Неорганические материалы. –1984. Т. 20, № 6. –– С. 958– зависимости твердости керамического покрытия 966.

оказывается типичным для ковалентных СЕКЦИЯ 8. ТЕСТИРОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ РАЗЛОЖЕНИЕ НАНО ПОРОШКОВ СЛОИСТЫХ И ПЛОТНЫХ ФАЗ НИТРИДА БОРА УГЛЕРОДОМ Гарбуз В.В., Петрова В.А., Яковлев А.В., Кузьменко Л.Н., Херовимчук Л.С.

Институт проблем материаловедения им. И.Н.Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3 Киев, 03142, Украина, e-mail: wpetrowa@ukr.net Импульсная восстановительная Полученные результаты экстракция углеродом, а также газовая представлены в виде температурной хроматография (ИВЭ – ГХ) из сугубо зависимости массовой доли (мас. часть) аналитических методов были развиты в экстрагированного в газовую фазу азота, что эффективный инструмент изучения пропорционально полноте прохождения высокотемпературных газообразующих (H2, N2, реакций разложения BN за 7 секунд CO, СО2) химических реакций [1]. импульсного нагрева q (T) (рис 1).

Целью настоящей работы явилось изучить температурно-экстракционные Выводы характеристики реакций разложения нано Изучена экстракция азота из порошков порошков плотных фаз BN, а также связать нано BN с разупорядоченной графитоподобной экспериментальные результаты по разложению структурой t-BNg, вюрцита h-BNw и сфалерита t-BNg с известными в литературе данными по h- c-BNsph в области температур 2100–4000К.

BNg [2], как базой сравнения и аттестации Разложение нано порошков BN плотных фаз метода. сдвинуто в высокотемпературную область. Для h-BNw по отношению к t-BNg разница составляет 900К. Образец c-BNsph по данным РФА, электронной микроскопии и ИВЭ – ГХ – 1, трех фазный: 0,20 t-BNg + 0,56 с-BNsph + 0,24 h BNw. Метод ИВЭ-ГХ позволил измерить количество рентгено аморфной фазы t-BNg 0, инкапсулированной внутри частиц c-BNsph при q(Т) 0, температурах диссоциации графитоподобного 0,4 t-BNg.

0, Литература 2000 3000 4000 1. Методы газового анализа / Гарбуз В.В. // Неорганическое материаловедение:

T, K Энциклопед. Изд.: 1 том / Под ред. В.В.

Рис. 1. Температурные зависимости массовой Скорохода, Г.Г. Гнесина. – Киев: Наук. думка, доли азота q (T) (масс. части), экстрагирован- 2008. – ISBN 978-066-00-0631-7.

ной в газовую фазу в результате разложения 2. Вассерман А.М., Кунин Л.Л., Суровой Ю.Н.

образцов 1 – 3, где 1 – t-BNg ;

2 – 0,20 t-BNg + Определение газов в металлах. Метод 0,56 c-BNsph + 0,24 h-BNw;

3 – h-BNw. восстановительного плавления в атмосфере газа-носителя. – М.: Наука, 1979. – 344с.

СЕКЦИЯ 8. ТЕСТИРОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ИЗУЧЕНИЕ ОКИСЛЕНИЯ ФАЗ В4С И СВОБОДНОГО УГЛЕРОДА.

Гарбуз В.В., Яковлев А.В., Петрова В.А., Херовимчук Л.С., Кузьменко Л.Н.

Институт проблем материаловедения им. И.Н.Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, Киев, 03142, Украина, e-mail yakovlev_7@ukr.net Карбид бора нашел широкое применение в создании деталей апаратури 0, химической и нефтехимической 0, 0, промышленности, а также броневой керамике с ХСкб, /, %мас./хв.

0, высокими эксплутационными характеристик- 0, ками [1]. Установлен компонентный и фазовый № 0, состав восьми промышленных образцов В4С № 0, согласно ГОСТ методами 5744–85, 0, классической аналитики, химического фазового 0, анализа и анализа газообразующих элементов 0, (О, Н, N, С). Исследованы суперпозиционные 600 700 800 900 1000 1100 1200 процессы окисления фаз В4С, соответственно o tC соотношений разновидностей бора и углерода.

Для определения температурной зависимости полученных значений свободного Рис. 2. Температурная зависимость окисления углерода и скорости окисления фазы КБ, была фазы КБ изучена временная зависимость окисления этих образцов (рис. 1-2) Выводы 1. Изучены температурные и временные характеристики окисления фаз КБ (В4С + 4О 2В2О3 + СО2) и свободного углерода (С + О СО2). Окисление КБ имеет сложный характер суперпозиционного взаимодействия XСвільн., % мас.

основной фазы и фаз свободного углерода № Окисления сопровождается 2.

№ изменением соотношения В/С как окисленных элементов, так и фазы КБ, что остается не окисленной.

600 700 800 900 1000 1100 1200 Литература t oC Гарбуз В.В., Захаров В.В.

1.

Особенности образования и окисления углеродных наноструктурных материалов // Рис. 1. Температурная зависимость измерения Наноструктурное материаловедение. – 2007. – содержания свободного углерода в КБ.

№ 1. – С. 74–83.

СЕКЦИЯ 8. ТЕСТИРОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА НОВОГО ТРОЙНОГО МОЛИБДАТА Rb5CeZr(MoO4) Чимитова О.Д., Базаров Б.Г., Атучин В.В.(1), Клевцова Р.Ф.(2), Глинская Л.А.(2), Базарова Ж.Г., Гонгорова Л.И., Хижун О.Ю.(3) Байкальский институт природопользования СО РАН, Улан-Удэ, 670047, Россия (1) Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск, 630090, Россия (2) Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия (3) Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Ураины, ул. Кржижановского, 3, Киев, 03142, Украина, e-mail: khyzhun@ipms.kiev.ua Сложнооксидные соединения молибдена (M=Ce, Zr), соединяющихся друг с другом через обладают комплексом важных в практическом общие О-вершины (Рис. 1).

отношении свойств (люминесцентные, электрические, адсорбционные и др.). В настоящей работе подробно изучена тройная солевая система Rb2MoO4–Ce2(MoO4)3–Zr(MoO4)2, подобраны условия синтеза тройных молибдатов, выращены монокристаллы состава а также изучена их Rb5CeZr(MoO4)6, кристаллическая структура.

Фазообразование в системе Rb2MoO4– Ce2(MoO4)3–Zr(MoO4)2 устанавливали методом «пересекающихся разрезов» в субсолидусной области (550–600 °С). Реакционные смеси для исследования твердофазных взаимодействий готовили тщательным смешиванием рассчитанных количеств средних молибдатов Рис. 1. Смешанный каркас из тетраэдров рубидия и циркония, а трехвалентный церий MoO4 и октаэдров МO6 в кристаллической вводили в систему в виде стехиометрической структуре Rb5CeZr(MoO4)6 - проекция слоя смеси шестиводного нитрата церия и триоксида на плоскость (001).

молибдена. Достижение равновесия контролировали рентгенографически В больших полостях каркаса размещаются (дифрактометр Advance D8 фирмы Bruker AXS с два сорта катионов рубидия. Эти Rb-полиэдры графитовым монохроматором). В системе заполняют в структуре различным образом установлено образование тройных молибдатов ориентированные каналы большого сечения.

составов Раствор-расплавной 5:1:2, 1:1:1.

При заселенности каналов соответствующими кристаллизацией при спонтанном катионами в каркасных структурах такого типа зародышеобразовании выращены монокристаллы могут реализовываться условия для быстрого 5:1:2 – Rb5CeZr(MoO4)6. В качестве растворителя ионного транспорта.

использовался димолибдат рубидия.

Синтезированные кристаллы Работа выполнена при финансовой идентифицировали методами РФА и ДТА с поддержке Междисциплинарного помощью сравнительного анализа спеков и интеграционного проекта СО РАН № 28 и порошков растертых кристаллов.Кристаллы гранта Президиума РАН по программе № 8, исследуемого молибдата отнесены к тригональной гранта РФФИ № 11-08-00681-а, 12-02-90806 сингонии пр. гр. R3(-)c. Кристаллическая мол_рф_нр.

структура представляет собой трехмерный смешанный каркас, состоящий из последовательно чередующихся МоО4-тетраэдров и октаэдров MO СЕКЦИЯ 8. ТЕСТИРОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ СИСТЕМА Rb2MoO4-Nd2(RO4)3-Zr(MoO4) Чимитова О.Д., Базаров Б.Г., Атучин В.В.(1), Клевцова Р.Ф.(2), Глинская Л.А.(2), Базарова Ж.Г., Гонгорова Л.И., Хижун О.Ю.(3) Байкальский институт природопользования СО РАН, Улан-Удэ, 670047, Россия (1) Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск, 630090, Россия (2) Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия (3) Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Ураины, ул. Кржижановского, 3, Киев, 03142, Украина, e-mail: khyzhun@ipms.kiev.ua Фазовые равновесия являются основой Достижение равновесия контроли-ровали разработки и получения новых порошковых рентгенографически (дифрактометр Advance D материалов. фирмы с графитовым Bruker AXS Целью работы являлось изучение фазовых монохроматором). Раствор-расплавной равновесий, кристаллических структур и кристаллизацией при спонтанном некоторых физико-химических свойств новых зародышеобразовании выращены монокристаллы молибдатов в системах Rb2MoO4–Nd2(MoO4)3– тройного молибдата рубидия—неодима— циркония, cимметрия и размеры элементарной Zr(MoO4)2.

Исходные молибдаты рубидия и циркония ячейки которых указывали на принадлежность их синтезировали из соответствующего карбоната, к структурному типу соединений состава 5:1:2.

оксида циркония и триоксида молибдена (хч) при Проведенное уточнение структуры по комплексу 450—700 °C. Время отжига составляло 50—100 ч. программ подтвердило SHELXL-97 [1] изоструктурность исследуемого молибдата Молибдат неодима получали из Nd2O3 (99,9 % соединениям Rb5NdHf(MoO4)6 и Rb5ErHf(MoO4)6.

основного вещества) и МоО3 нагреванием при Полученное соединение 450—800 °C в течение 50—110 ч. Rb5NdZr(MoO4) охарактеризовано колебательной спектроскопией Фазообразование в системе Rb2MoO4– (ИК и КР). Получены и проанализированы изучали методом Nd2(MoO4)3–Zr(MoO4) колебательные спектры соединения и проведены пересекающихся разрезов в субсолидусной отнесения полос. Методом ДСК определены области (450—600 °C) и в указанной системе термические характеристики тройных молибдатов установлено образование тройных молибдатов составов Rb5NdZr(MoO4)6, и RbLnZr0,5(MoO4)3.

составов 5:1:2, 1:1:1 (рис. 1).

Термограммы образцов характеризуются наличием двух эндотермических эффектов первый при температурах 540°С, соответствующий фазовому переходу первого рода и второй, соответствующий плавлению образцов 655°С.

Литература:

[1] Sheldrick G.M. SHELXL-97. Programs for the Refinement of Crystal Structures. – Germany, University of Goettingen, 1997.

Работа выполнена при финансовой поддержке Междисциплинарного интеграционного проекта СО РАН № 28 и гранта Президиума РАН по программе № 8, гранта РФФИ № 11-08-00681-а, 12-02-90806-мол_рф_нр.

Рис.1. Субсолидусные фазовые диаграммы систем Rb2MoO4–Ln2(MoO4)3–Zr(MoO4) Ln= Ce, Nd.

СЕКЦИЯ 8. ТЕСТИРОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ИСТОЧНИК МАГНИТО-МЕХАНО-АКУСТИЧЕСКИХ ВИБРАЦИЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОАНИЯ В ТЕХНИКЕ И МЕДИЦИНЕ Райченко А.И., Деревянко Е.В., Деревянко А.В.

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, Киев 03142, Украина, e-mail: raitch@ipms.kiev.ua В мире существует ряд экспериментальных Персональн.

Измеритель уровня компьютер наблюдений, связанных с действием электромагнитного поля Программн.

Программн.

искусственных магнито-механо-акустических генератор осцилограф колебаний Микро колебаний на дисперсные порошковые [1] или фон биологические объекты [2, 4]. Приведенные факты Виброакустич. SVEN устройство убеждают в целесообразности более детального изучения природы такого влияния.

Подставка под Визуальное изучение структуры мелких кювету, создающая и образований возможно лишь с помощью передающая механич.

колебания к исследу электронного микроскопа, что не предоставляет емуему объекту Объект дослідження возможности проведения исследований in vivo. исследования ЛАТР (генератор кювета с Поэтому значительное количество информации електромагнитних коле- V 220 В мембраной баний, частота 50 Гц) относительно свойств названных структур живого A организма было получено на моделях. Оказалось, V - вольтметр - амперметр A что проницаемость мембраны клетки зависит как Рис. 1 – Структурная схема оборудования от физико-химических характеристик мембраны, так и от электрохимических потенциалов среды с обеих сторон пленки [3].

Есть основания считать, что порождаемые пульсации в ней из вне могут вызывать Осциллограммы механо Рис. превращение микроскопических составных – акустического сигнала для частот 1000, 2000 и частей. Такого рода превращения могут быть 5000 Гц использованы при девитализации, например, опухолевых клеток.

Литература Подобные влияния могут создаваться и под 1. Наремский М.К. Разрушение агрегатов действием магнито-механо-акустических частиц порошка воздействием переменного колебаний от комплекса (Рис. 1). Сигналы состоят электрического поля. – Порошковая металлургия.

из электромагнитной компоненты частотой 50 Гц – 1977. – № 9. – С. 1–5.

и компоненты, которая может в звуковом 2. Звіт про науково-дослідну роботу диапазоне частот действовать на объект "Розробка кріомагнітного обладнання та вивчення исследования одним из шести избранных видов його терапевтичних можливостей в сигнала (Рис. 2).

експериментальній онкології" (IV-2-07), ІПМ ім.

Есть возможность с учетом параметров І.М.Францевича НАН України, № держреєстрації системы осуществлять механо-акустические колебания и формировать сигналы очень низких 0107U002403, 2007.

3. Бинги В.Н. Магнитобиология: Экспери частот достаточной "чистоты", то есть нужной менты и модели.-2002. M: "М., Милта", 592 с.

четкости, потому что на частотах ниже 20 Гц это 4. Звіт про наук.-досл. роботу IV-5- является важным.

суспензії феромагнітні "Динаміка (сегнетомагнітні) частинки/фізіологічний розчин під впливом електромагнітного поля". ІПМ НАНУ, керівник НДР д-р. т. н. О.І.Райченко. – Київ, 2006. – 24 с.

СЕКЦИЯ 8. ТЕСТИРОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ИССЛЕДОВАНИЕ АДСОРБЦИОННОЙ АКТИВНОСТИ ФУНКЦИОНАЛИЗИРОВАННЫХ НАНОПОРОШКОВ УГЛЕРОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ Базалий Г.А., Богатырева Г.П., Маринич М.А.,Олейник Н.А., Ильницкая Г.Д.

Институт сверхтвердых материалов им. В.Н. Бакуля НАН Украины, ул. Автозаводская, 2, 04074, Киев, Украина, oleynik_nonna@ukr.net Углеродсодержащие материалы занимают чем у образцов АСУД-99 и МУНТ-А, и особое место среди адсорбентов, т.к. обладают максимальна у образца АРН-А 1/0.

высокой адсорбционной активностью и При исследовании влияния селективностью, однако они очень хрупкие и функционализации углеродных материалов их поверхность не поддается регенерации. На установлено, что применение термической основе алмазных ультрадисперсных и обработки в инертной атмосфере позволяет поликристаллических порошков, углеродных придать поверхности углеродного нанотрубок созданы новые углеродные наноматериала гидрофобные свойства, а адсорбционные материалы. Повышение термохимическая и электрохимическая эффективности работы этих материалов при обработки способствуют гидрофилизации очистке биологических сред от тяжелых поверхности. Показано, что вследствие металлов и органических соединений, проведения функционализации поверхности повышение функционализации порошков за исходных нанопорошков МУНТ у материала счет повышения адсорбционной активности и увеличивается удельная площадь поверхности осуществления селективного механизма в 1,2–1,4 раза, уменьшается содержание адсорбции является актуальной задачей. примесей в 2–3 раза, процесс электровыделения Цель настоящей работы исследование водорода проходит в 1,5–2,0 раза интенсивнее, адсорбционной активности функционализи- чем на исходном материале. Так, по степени рованных нанопорошков углеродных заполнения ионами железа в концентрации материалов к веществам органического и 110-2 г-моль/л поверхности исходного образца неорганического происхождения для их МУНТ-А после его обработки (МУНТ-В) эффективного применения в качестве ионами железа занято до 70% поверхности адсорбентов в биологических средах, образца.

медицине, фармакологии и др. Таким образом, результаты проведенных Исследовали исходные образцы исследований стали основой при создании углеродных наноматериалов трех видов: функционализированных нанопорошков нанопорошки многостенных углеродных углеродных материалов с заданым набором нанотрубок марки МУНТ-А, алмазные физико-химических, адсорбционно ультрадисперсные нанопорошки марки АСУД- структурных и эксплуатационных 50 и АСУД-99, алмазные наноструктурные характеристик.

поликристаллические порошки марки АРН-А Для эффективного применения в качестве зернистостью 1/0, а также образцы порошков адсорбентов в биологических средах, после функционализации. медицине, фармакологии и других отраслях Функционализация поверхности разработаны нанопорошки углеродных исходных образцов углеродных материалов широкого спектра марок:

наноматериалов была проведена физико- нанопорошки многостенных углеродных химическими методами. нанотрубок марок МУНТ-В и МУНТ-С;

Определяли адсорбционно-структурные алмазные ультрадисперсные нанопорошки характеристики, степень гидрофильности, марок: БСА-Ф для очистки от органических степень адсорбционной активности (емкость), веществ, БСА-Т для очистки от тяжелых электрокинетический потенциал образцов. металлов;

алмазные наноструктурные Установлено, что адсорбционная емкость поликристаллические порошки марки АРН-БК к ионам железа и никеля у образцов АСУД-50 и для обработки при изготовлении медицинского АРН-А 1/0 значительно выше (в 1,2- 1,8 раза), инструмента, протезов из биокерамики.

АВТОРСКИЙ УКАЗАТЕЛЬ АВТОРСКИЙ УКАЗАТЕЛЬ Бездорожев А.В. 178, Великанова T.A. J Великанова Т.Я. J. David Carter 238 179, Бейгельзимер Я.Е. 92 Верещака В.М. 77, Белов В.Ю.

O 126 232, Белоусов Н.Н. 51, 132 Весна В.Т.

Olevsky E. 61 Белошицкий Н.В. 70 Викулова Л.В. Белявина Н.Н. Витязь П.А. 35, 55, А Белясова Н.А. Вишняков Л.Р.

207 149, Аврамчук С.К. 232, 233 Березуцкий В.В. 83, 150, 151, 216, Адеев В.М. Вишнякова Е.Л.

204 84, 85 Азаров С.М. 167, 207 Березуцкий В.В. Власов А.А. 214, Азарова Т.А. 167, 207 Березуцкий В.В. Волкогон В.М. 232, Акименко В.Б. Благовещенский Ю.В. 126 Володин А.А. 203, Акимов Г.Я. Блощаневич А.М. 105 Волощенко С.М. 97, Алфинцева Р.А. 174 Богатов А.С. Воропаев В.С. 95, 106, Альмяшева О.В. 49 Богатырева Г.П. Амосов А.П. Богомол Ю.И. 99, Андреева М.Г. Бойченко Т.В. Г 230 Андриевская Е.Р. 59 Болдин М.С. 126, 139 Габ А.И. 66, 67, 68, Андриевский Р.А. 33 Бондар А.А. 80, 123 Габрельян Б.В. Анисимов О.В. Бондаренко А.А. 176 Габуния Д.Л.

197 155, Антанович А.А. Бондаренко Н.А. 154 156, Анчевский П.С. 102, 118 Бондаренко Т.Н. 117, 242 Гадзыра Н.Ф. 108, Артамонов Ю.В. 121 Борисов Ю.С. Гальцов К.Н.

209 Архипов И.В. Борисова А.Л. Гарбуз В.В.

193 209 110, Аскеров М.Г. Боровик В.Г.

97 182 217, 247, Аскеров М.Г., Боровикова М.С. 129 Гарбуз Т.А. 122, 127, Астахов Е.А. Бородянская А.Ю. 202 Гарибашвили В.И. Астрелин И.М. Бошицкая Н.В. Гачечиладзе А.А. 67 Атучин В.В. 249, 250 Браницкий Г.А. Гетьман O.И.

207 Афанасьева Н.А. 208 Бритун В.Ф. Гладкая Т.Н.

225 Бродниковский Н.П. 238 Глинская Л.А. 249, Брускова Д.-М.Я. 69 Гогаев К.А. 95, 97, 106, Б Будылина О.Н. 230 108, 109, 116, Баглюк Г.А. Буланова М.В. Гогоци А.Г.

43, 218 Бурхан А.А. Голубенко А.А.

172, 173, 175, 177, 178, 105 229, Быков А.И.

179, 180 113 245, Бадика П. Быков Ю.В. Голяндин Д.

141 186 Базалий Г.А. Бякова A.В. Гонгорова Л.И. 249, 252 148, Базаров Б.Г. 249, 250 Гончарова И.В. 133, 181, 214, Базарова Ж.Г. 249, 250 Гончарук В.А. 171, Балыдко Д.Н. Гончарук Д.А. 172, Барабаш В.А. В Гон-Эскар М.

107 Баранов Г.В. Варюхин В.Н. 92, 132 Горанский Г.Г. 195, Барановская Е.А. 227 Василевская А.К. 49 Горбань В.Ф. Барсуков И.В. Васильковская М.А. 113 Горохов В.М.

238 Баскаков С.А. Васылькив О.О. Гречанюк Н.И.

205 141, Беженар М.П. Григорьев О.Н.

128 183, 202 Беженар Н.П. 122, 127 Вдовиченко О.В. 78 Губинский М.В. Велидченко М.Н. АВТОРСКИЙ УКАЗАТЕЛЬ Д Зайцев И.В. Клочков Л.А.

193 Даниленко А.И. Зайцева И.Н. Кобылинская Н.Г. 225 Даниленко В.И. Заславский А.М. 213 Коваль А.Ю.

108 Демидик А.Н. Затовский В.Г. Ковальченко М.С. 42, 107 Демченко В.Ф. Захарова Н.П.

39 171 Деревянко А.В. Зверева О.С. Ковалюк З.Д.

110, 37 Зелявский В.Б. Коновал С.М.

111, 112, 251 231 122, Деревянко Е.В. Зибров И.П. 223, 251 127, Дикова Ц.Д. Зима Р.А. Копылова Е.И.

74 99 Димитров Д.М. Зима Ю.И. Кораблев С.Ф.

74 93 Добровольский В.Д. 211 Зинченко В.Ф. Коричев С.А.

199 Довгань А.Г. 227, 228 Зозуля Ю.И. Корниенко А.Н.

238 Довыденков В.А. 37 Золотаренко А.Д. 203, Корниенко К.Е. 77, Дорофеев В.Ю. Корниенко Н.Е. 162, 91 204, Дорофеев Ю.Г. Золотаренко Ал.Д. 205 Корягин С.В.

91 Дробот Д.В. Золотаренко Ан.Д. 205 Костиков В.И. 157, Дробыш А.А. Зубкова В.Т. 93, 121, 140 Косторнов А.Г.

168 Дубиковский Л.Ф. 115 Зубкова И.В. Костюхина Е.В.

216 Дуда Т.М. Зяткевич Д.П. Котко А.В.

226 153 203, Дуров А.В. 73 220, 232, Котков Д.Н. И Красовский В.П. Е Иванец А.И. Кременицкий В.В. Евич Я.И. Иванов М.И. 83, 84, 85 Крикля Л.С.

106 Евтухова Т.Е. Иванова О.М. Крушинская Л.А. 208 Епифанцева Т.А. 92, 114 Ивженко В.В. Крылова Н.А.

160 Еремеев А.Г. Ижевский В.А. Крючко О.В.

186 134 Еремеева Ж.В. Илькив Б.И. Кублий В.З.

98, 117 Ильницкая Г.Д. Кудин В.Г. 79, 82, 85, 157, 197, 198 158, Еременко Л.И. Кудин Г.И.

153 159, 234, 252 Ермакова Д.И. Ильющенко А.Ф. 35, Кудь И.В.

141 Ершова И.О. Кузенков Е.О.

64 142, 163, 168 Ершова О.Г. Кузьменко Л.Н. 247, Ефимов Н.А. Кузьмов А.В. 61, 62, Ефимова Л.Б. К Кулик И.А.

193 Ефимов Н.А. Кайдаш О.Н. 129, 160 Куликов Л.М.

171 Калуцкий Г.Я. Кулу П.

95 Канделаки А.З. Kуприн В.В.

156 Ж Капцевич В.М. Куратченко А.Б.

142 Жданок А.А. Карпец М.В. 213, 218 Курбаткина В.В. Жекибаев М.М. 130, 131, Картузов В.В. Курдюмов А.В.

57, 76 Касумов М.М. 65, 161, Куровский В.Я.

136 Жердицкая Н.Н. 98 Кусин Р.А.

244 Жикин А. Катруша А.Н. Кухаренко С.А. 226, 56 Кёниг Н.Б. Куцай А.М. 162, Кириленко С.Н. Кущевская Н.Ф.

174 З Киркова Е.Г. 62, Загинайченко С.Ю. 205 Кислая Г.П. Загородняя Э.В. 226 Клевцова Р.Ф. 249, Зайцев А.А. Клевченя Д.И.

71 АВТОРСКИЙ УКАЗАТЕЛЬ Л Микитюк И.П. Паустовский А.В. 147, Лаврентьев А.А. 242 Микуцкий В.А. 163 Лавриненко В.И. 234 Мильман Ю.В. Пашинская Е.Г.

34, Лажевская О.В. Пащенко Е.А. 100, 228, 100 133, 171, 181, 229, Лакиза С.Н. Мильчев В.В. 93, 75 Лаптев А.В. Минакова Р.В. 109, 187 Переселенцева Л.Н. Лебедева Е.Н. Мириджанашвили З.М. Петасюк Г.А.

223 Левашов Е.А. Петрова В.А. 217, 247, 71 155, Левонян Г.Л. Михайлов О.В.

104 92 Лесной А.Б. Михеев Г.В. Петросян А.Г.

39 198 Лешок А.В. Моденов В.П. Петросян Г.Л.

144 154 Лиходед Л.С. Молотовская Л.А. 66 Петухов А.С. 110, Лобода П.И. Морозов И.А. Петюшик Е.Е.

99, 87 167, Мосина Т.В.

112, 141, 206 97 168, 207, Лобунец Т.Ф. Москвичева А.В. 126 Пидгорнюк Е.М.

231 Логинова Т.В. 130, 131, Мотроненко В.В., 238 Пинчук Т.И. Писарский В.П.

136 Лопатин В.Ю. Подрезов Ю.Н.

197 45, Н 106, 107, 108, Лопато Л.М. Назаренко В.А. Полубояров В.А. Лукович В.В. Найда Ю.И. Поляков И.А.

111 Лученок А.Р. Найдич Ю.В. Прилипко С.Ю.

52, 73 Лучка М.В. Налесная А.В. Прихна Т.А.

78 Ляшенко В.И. Нарва В.К. Прохоров О.А.

50 Науэр Г. Проценко Л.С.

68 Нейков О.Д. Пятачук С.Г. 177, М Нековаль Н.Н. 228, Мазная А.В. 149, Непомнящий В.В. 97, Мазур П.В. Нешпор А.В. Р Мазюк В.В. 102, Никифоров И.Я. 242 Рагуля А.В. 38, Майданюк А.П. Никишина Е.Е. 223 87, 110, 113, Макара В.А. Ниткин Н.М. Радченко А.А.

198 Макаренко Г.Н. Новиков Н.В. Радченко А.К. 96, 108, Малышев В.В. 66, Нохрин А.В. 126, 139 67, 68, 69, Радченко Л.А. Мамонова А.А. 172, 173, Радченко П.Я. 184, 175, 177, 178, 179, О Райченко А.И. 112, Маранц А.В. Овсянникова Л.И. 76 Ремез М.В. Маргиев Б.Г. Окросцваридзе О.Ш. 164, Роман О.В. Маринич М.А. Романенков В.Е. 245, Маркова Л.В. Олейник Г.С. Романова Л.А.

125, Маслюк В.А. Рудакова Е.П.

220, 232, 233 Матейко И.В. Олейник Н.А. 159, 252 Руденький С.О. 203, Мацера В.Е. 204, 205, Медова И.Ю. Рудь Б.М. Мелешевич К.А. П Рупасов С.И. Мельник М.В. Паничкина В.В. 184, 186 Рупчев В.Л. Мельников Ю.В. 121, Панов В.С. Рябичева Л.А.

198 Метлов Л.С. Панченко А.И. 93, Мечник В.А. Пасичный В.В. Микаберидзе Г.Б. АВТОРСКИЙ УКАЗАТЕЛЬ С Степанчук А.Н. Филоненко В.П.

166 154, Савич В.В. 35, 60, 145 Су Л. 202 223, Савченко Д.А. Суботенко П.Н. Фирстов С.А.

100 79 Савчук П.П. Судавцова В.С.

170 79, Садковская Л.В. 199 Х 82, 83, 84, Сакка Й. Судник Л.В. Хантадзе Д.В.

202 103 Сальников А.С. 93, 101 Сурженков А. Хейфец М.Л.

56 Самелюк А.В. 77, 133 Сухарчук Д.О. Херовимчук Л.С. 217, Сарнавская Г.Ф. 160 Сынков А.С. 92 247, Сартинская Л.Л. 162, 200 Сыроежко Г.С. Хижун О.Ю.

144 211, Сахаров Н.В. 139 220, 242, 249, Свердун Н.В. Хобта И.В. 110, Сентюрина Ж.А. 50 Т Хоменко Б.С. 105, Сенють В.Т. Тавадзе Г.Ф. 72, 164, 239 Хоменко Е.В.

55 Сергиенко Н.В. Тавчар Г. Хоружая В.Г.

129 67 77, Сидоренко Д.А. Тарасов Б.П. 203, Сидоренко Т.В. Тарбе Р. Ц 73 Сидорец В.Н. Тельников Е.Я. Цагарейшвили О.А. 155, 39 Сидоров В.А. 223, 224 Терновой Ю.Ф. 121, 140 Сидорук С.Н. 65, 244 Тимофеева И.И. 113 Цебрий Р.И. Сизоненко О.Н. Тимошенко В.В.

54 Симан Н.И. Тимошенко Я.Г.

147 Симонова Е.В. Тихонова И.Б. Ч 197 175, Сироватка В.Л. Часнык В.И.

176 178, 179, 180 Скориков Р.А. Тищенко Я.С. Чередниченко В.В. 198 Скороход В.В. Ткач В.М. Чернацкая В.Ю. 31, Ткаченко Л.Н. Чернега С.М.

58, 63, 87, 114, 184, 186 62 Слепкин E.П. Ткаченко Ю.Г. Черненко А.Н.

165 174 Слепцов С.В. Толочин А.И. Чернявский В.В. 80 Слысь И.Г. Томила Т.В. Черняк И.Н.

124 231 Слюта Д.А. Трамшек М. Чесноков А.Е.

157 67 Смертенко П.С. Тумко А.Н. 93, 101 Чижов П.С.

147 Смирнов В.М. Чимитова О.Д. 249, Смирный М.А. Чувильдеев В.Н. 126, Смоквина В.В. У 234 Смоляр А.С. Уварова И.В. 153, 212 Чугунова С.И.

105 133, Сморыго О.Л. Ульшин В.И.

163 135 229, 245, Смуров И.Ю. Ульшин С.В. Чхартишвили Л.С. 155, 50 Смык В.М. Усатюк Д.А.

206 70 Солнцев В.П. Уськова Н.А. 177, 178, 58, 63, 87 Солнцева Т.А. Уткин С.В. Ш 87 Солодкий Е.В. Шалунов Е.П. 193, Соломенко Е.П. 65, 244 Шамраева В.С. Солоненко О.П. Ф Шарипзянова Г.Х. Солонин Ю.М. Федоран Ю.А. 232, 233 Шаровский А.О.

211 Сорока Е.В. Федоренко В.Т. Шахнин Д.Б. 66, 67, 68, 203 Сорокин А.А. Федотенкова О.Б. 186 Ставрев Д.С. Фесенко И.П. Шведов М.А.

74 129 Степанчук А.М. Филиппов Н.И.

143 АВТОРСКИЙ УКАЗАТЕЛЬ Шевченко М.А. Шымкив Н.С. Ю 82, Юркова A.И. 165, 83, 84 85, Шевчук М.Б. Юрценюк С.П.

166 Шелудько В.Е. Щ Юрченко Д.З.

147 Шишкина Ю.А. Щербицкая Е.В.

175, Щерецкий А.А.

177, 178, 179 Шкумат П.Н. Щур Д.В. 105, 203, 204, Я Шотин С.В. 126, 139 Ядройцева И.А.

205 Шпилевский Э.М. 240 Щур Н.А. Яковенко Р.В.

235 Штерн М.Б. Щуревич Д.И. Яковлев А.В.

41, 92 163 217, Шульга Ю.М. 205 247, Шуменко В.В. 130, 131, Яковлева М.С. Ярош В.В.

136 Шуменко В.Н. 71, 130, Ястребский Ц. 131, Наукове видання тези доповідей міжнародної конференції “ПОРОШКОВА МЕТАЛУРГІЯ:

ЇЇ СЬОГОДЕННЯ ТА ЗАВТРА” російською мовою К публикации материалы готовили:

Чернышев Л.И.

Федорова Н.Е.

Коваленко Л.А.

Ткаченко Т.Н.



Pages:     | 1 |   ...   | 8 | 9 ||
 



 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.